FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）115mA（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）0.59nC @ 4.5V

Vgs（最大值）40V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）50pF @ 25V

功率耗散（最大值）350mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）7.5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装SOT-23

封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs